東芝・ソニー・NECエレクトニクス3社が45nmプロセスでのLSI量産技術を確立

東芝/ソニー/NECエレクトニクスがそれぞれの技術を応用し45nmプロセスのLSIを安定して大量生産する技術を確立した。

2005年までに東芝とソニーが45nmプロセスのための歪みシリコン技術や、(低誘電率)low-k絶縁膜などの技術を確立し、それにNECエレクトニクスも加わりさまざまな新技術を加え今回45nmプロセスでのLSI量産技術確立に至った。
今回確立した技術はさまざまな面から見ても十分な信頼性や安定性があると言え、量産に耐えるものとなっている模様。

ただ、このブログの読者はそんなことよりもインテルやAMDに関連することの方に興味があると思われるが、インテルは2007年半ば、AMD(とIBM)は2008年半ばに45nmプロセスでの量産を開始できるとしている。AMDとIBMはより高レベルな歪みシリコン技術に加えこれまでのlow-k絶縁膜から信号遅延率が15%低減された「(超低誘電率)ultra-low-k」絶縁膜などを実現し、より高レベルな技術に仕上げるとしている。